演讲嘉宾
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2025年9月27日-9月28日 第三届(西湖)半导体集成电路技术论坛(SICTW)
  • 鲁辞莽
    上海闪易半导体有限公司
    CEO,本科与硕士毕业于北京大学物理学院,博士毕业于东京大学工学部并获得东京大学优秀博士毕业生奖。博士期间获2015年超大规模集成电路研讨会(Symposia on VLSI Technology and Circuits)最佳论文奖。著有第一作者论文十余篇,被引近300次。先后入选上海市青年创业英才和上海科技青年35人引领计划,获得“科创投”杯海聚英才创业大赛银聚奖和全国“人工智能+”卓越项目新星奖。2017年创立上海闪易半导体有限公司,带领团队研发基于闪存和存算一体技术的SoC,致力于打破冯诺依曼架构瓶颈,提升计算性能。
    报告题目:在测试中寻找突触的确定性:基于新存储的突触方法学
  • 康子扬
    浙江大学
    一直从事面向边缘场景的 SNN 算法设计、基于 NoC 的多核类脑处理器/芯片架构设计、面向类脑处理器的映射工具链设计等工作。参与了科技部重点研发计划课题,国防科技创新特区项目等多个项目。目前已在IEEE TCAD、JCST、IEEE TVLSI、JSA、ASP-DAC、GLSVLSI、ASYNC、ISCAS 等期刊及会议发表论文二十余篇。申请并授权国家发明专利并授权十余项。
    报告题目:面向神经拟态高效计算的多层次通信优化
  • 孟凡涛
    浙江驰拓科技有限公司
    博士毕业于大连理工大学和瑞典隆德大学,副高级职称。现任中电海康集团高级技术专家、浙江驰拓科技有限公司副总经理。2011-2016年就职于英特尔半导体, 2016年加入中电海康集团和驰拓科技有限公司MRAM芯片研发团队,主要负责新型存储芯片中试线建设和MRAM工艺研发工作。作为课题负责人承担科技部科技创新2030-“新一代人工智能”重大项目1项,作为项目骨干参与工信部、科技部、浙江省、中国电科等9项磁存储芯片重大科技创新项目。以第一作者和通讯作者在ACS Appl.Electron.Mater、JMMM、APL、Nanotechnology等刊物发表论文8篇,申请发明专利26余项,获得授权专利8篇。
    报告题目:后摩尔时代下的高性能MRAM存储芯片及工艺实现
  • 张渊
    杭州海康威视数字技术有限公司
    2012年浙江大学硕士毕业加入海康威视,目前任职于海康威视研究院技术专家,专注AI算法研发。主要研究方向涵盖神经网络压缩与加速、神经形态计算及深度学习信号处理,在包括 ICLR、CVPR、AAAI、ICASSP等在内的多个国际顶级会议上发表过多篇学术论文。
    报告题目:面向视觉目标检测的脉冲网络研究现状及应用进展
  • 游龙
    华中科技大学
    教授,一直从事与自旋电子及微电子技术相关的国际技术前沿课题研究。近五年来,在国家人才项目、基金委创新群体和面上项目等支持下,面向国家重大需求和国际前沿,在非挥发性随机存储器、自旋神经形态器件、自旋逻辑计算电路和信息安全器件等领域开创性地提出了多项重要的新技术概念和设计方案,并在实验中得到验证。游龙教授取得了多项具有国际领先水平的创新性研究成果。近五年来,以第一或通讯作者在Nature Nanotechnology,Proceedings of National Academy of Science (PNAS),Nano Letters,Nano Energy,Advanced Electronic Materials,Applied Physics Letters,Physics Review Applied,IEEE Electron Device Letters等期刊发表多篇论文,在信息安全方面的研究成果被2018 IEDM会议接收。以主要作者和合作作者在Nature Materials、Nature nanotechnology、PNAS、Nature Communications等期刊发表多篇论文。研究成果被Nat.Nanotechnol、Nature Electronics、Nat. Commun.等重要期刊他引,总被引次数达到2700次,并被Science、News & Views of Nat.Nanotechnol、Phy.Org、科技日报、央视新闻等媒体作为高新技术报道。实验室毕业生就业形势良好,多在华为、长江存储、烽火通信、华星光电和天马微电子等相关领域企业从事研发工作。
    报告题目:反铁磁器件SOT效率的研究与应用
  • 吴良才
    东华大学
    博士生导师,国家重点研发计划课题负责人、973课题负责人、上海市科技启明星。 南京大学物理系微电子专业博士毕业,获微电子学与固体电子学博士学位。发表SCI论文160多篇,获得中国和美国授权发明专利40多件;参与编写《相变存储器与应用基础》、《Advanced Nano Deposition Methods》等中英文著作。负责完成973课题,参与完成国家集成电路重大专项、国家纳米重大研究计划等多个科研项目。 主要研究方向:1、微纳电子材料、器件及其物理;2、新型信息存储技术。近年来承担的主要科研项目:1、国家重点研发计划项目(课题负责人),2、国家自然科学基金面上项目(负责人),3、信息功能材料国家重点实验室开放课题(负责人)。近年来在 Advanced Materials、Nature Communications、ACS Applied Materials & Interfaces、Advanced Optical Materials、Acta Materialia、Journal of Materials Chemistry C、Applied Physics Letters等学术刊物上发表SCI论文160多篇;获得中国和美国授权发明专利40多件。
    报告题目: 柔性高速相变存储器材料与器件
  • 龚勇
    华大半导体有限公司
    龚勇,计算机博士,高级工程师,主要研究方向为AI算法、AI编译器与存算一体。现任华大半导体有限公司集成电路研究院资深软件工程师,负责AI编译工具链与算法方向工作。曾任中国电科某研究院研究员,中国电科“青年英才”,中联重科算法专家,解放军理工大学助理研究员。主持省自然科学基金(1项)、博士后基金(1项)、国家自然科学基金重点项目子任务(1项)等多项;负责/完成存算一体AI编译器、AI+智能制造相关的企业级重点项目多项;作为核心成员参与/完成国家重大攻关计划(1项)、国家重点研发计划(1项)、863计划重点项目(1项)、浙江省重点研发计划(1项)等多项。累计发表SCI/EI等检索论文20余篇,授权专利6项。
    报告题目:面向存算一体的AI编译器研究进展
第三届(西湖)半导体集成电路技术论坛(SICTW) @2025技术支持:15502168738