孟凡涛
浙江驰拓科技有限公司
博士毕业于大连理工大学和瑞典隆德大学,副高级职称。现任中电海康集团高级技术专家、浙江驰拓科技有限公司副总经理。2011-2016年就职于英特尔半导体, 2016年加入中电海康集团和驰拓科技有限公司MRAM芯片研发团队,主要负责新型存储芯片中试线建设和MRAM工艺研发工作。作为课题负责人承担科技部科技创新2030-“新一代人工智能”重大项目1项,作为项目骨干参与工信部、科技部、浙江省、中国电科等9项磁存储芯片重大科技创新项目。以第一作者和通讯作者在ACS Appl.Electron.Mater、JMMM、APL、Nanotechnology等刊物发表论文8篇,申请发明专利26余项,获得授权专利8篇。
报告题目:后摩尔时代下的高性能MRAM存储芯片及工艺实现